RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
61
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,670.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,529.3
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.4
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
517
3147
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link