RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
45
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2286
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link