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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,475.5
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
56
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8800
Rund um 2.18 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,878.3
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,475.5
10.8
Speicherbandbreite, mbps
8800
19200
Other
Beschreibung
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
598
2731
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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