RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
70
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2519
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link