RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
70
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
70
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2519
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link