RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
70
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
70
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2519
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link