RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
70
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
70
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2519
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link