RAM-Vergleich Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Gesamtnote

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 32

Rund um 13% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

11.5 9.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.4 5.2

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1731 1919

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns