Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Note globale
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 32
    Autour de 13% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.5 left arrow 9.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.4 left arrow 5.2
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 32
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.7 left arrow 11.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.2 left arrow 7.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1731 left arrow 1919
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons