Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Pontuação geral
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 32
    Por volta de 13% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.5 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.4 left arrow 5.2
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.7 left arrow 11.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.2 left arrow 7.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1731 left arrow 1919
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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