Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 32
    Intorno 13% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.5 left arrow 9.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.4 left arrow 5.2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.7 left arrow 11.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.2 left arrow 7.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1731 left arrow 1919
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti