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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Confronto
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.5
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
5.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
9.7
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1731
1919
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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