RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
52
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
26
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3648
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link