RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
52
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3648
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link