RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2738
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link