RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
75
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
29
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2865
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link