RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2865
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link