RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,410.6
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
61
Около -135% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,230.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,410.6
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
754
3938
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Сравнения RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link