RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2865
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link