Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    6.7 left arrow 5.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    10600 left arrow 8500
    Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 30
    Wokół strony -3% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    8.9 left arrow 8.6
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    30 left arrow 29
  • Prędkość odczytu, GB/s
    8.6 left arrow 8.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    6.7 left arrow 5.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1241 left arrow 1178
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania