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Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Pontuação geral
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.7
5.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
10600
8500
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.9
8.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
30
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
5.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
8500
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1241
1178
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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