Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Puntuación global
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Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.7 left arrow 5.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
    En 1.25% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 30
    En -3% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    8.9 left arrow 8.6
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.6 left arrow 8.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.7 left arrow 5.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1241 left arrow 1178
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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