Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

总分
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Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

差异

  • 更快的写入速度,GB/s
    6.7 left arrow 5.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    10600 left arrow 8500
    左右 1.25% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    29 left arrow 30
    左右 -3% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    8.9 left arrow 8.6
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    30 left arrow 29
  • 读取速度,GB/s
    8.6 left arrow 8.9
  • 写入速度,GB/s
    6.7 left arrow 5.3
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1241 left arrow 1178
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