Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Punteggio complessivo
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Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.7 left arrow 5.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    10600 left arrow 8500
    Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 30
    Intorno -3% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    8.9 left arrow 8.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    30 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    8.6 left arrow 8.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.7 left arrow 5.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1241 left arrow 1178
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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