Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 43

Intorno 33% latenza inferiore

Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

11.1 8.9

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.3 5.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

10600 8500

Intorno 1.25 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1178 1357

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns