Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Pontuação geral
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Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 43
    Por volta de 33% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.1 left arrow 8.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.3 left arrow 5.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 8500
    Por volta de 1.25 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    29 left arrow 43
  • Velocidade de leitura, GB/s
    8.9 left arrow 11.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.3 left arrow 7.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1178 left arrow 1357
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RAM 1
RAM 2

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