Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 43

Wokół strony 33% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

11.1 8.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.3 5.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

10600 8500

Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1178 1357

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns