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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
8500
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.3
7.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
10600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1178
1357
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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