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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
5.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
43
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.3
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
10600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1178
1357
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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