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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
総合得点
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
43
周辺 33% 低遅延
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
11.1
8.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.3
5.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
10600
8500
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
43
読み出し速度、GB/s
8.9
11.1
書き込み速度、GB/秒
5.3
7.3
メモリ帯域幅、mbps
8500
10600
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1178
1357
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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