Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Note globale
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Note globale
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Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    29 left arrow 43
    Autour de 33% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.1 left arrow 8.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.3 left arrow 5.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    10600 left arrow 8500
    Autour de 1.25 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    29 left arrow 43
  • Vitesse de lecture, GB/s
    8.9 left arrow 11.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.3 left arrow 7.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1178 left arrow 1357
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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