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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Note globale
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
5.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
10600
8500
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
29
43
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.3
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
10600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1178
1357
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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