RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
97
Intorno 57% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
97
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
1479
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link