RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
97
Por volta de 57% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
97
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1479
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link