RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
52
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
26
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3648
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link