RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
52
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
26
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3648
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link