Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 32
    Около 13% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.5 left arrow 9.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.4 left arrow 5.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.7 left arrow 11.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.2 left arrow 7.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1731 left arrow 1919
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения