RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link