RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3262
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link