RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
16.1
16.8
写入速度,GB/s
10.1
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3262
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link