ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

总分
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

总分
star star star star star
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 73
    左右 64% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.5 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.8 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    26 left arrow 73
  • 读取速度,GB/s
    12.6 left arrow 15.8
  • 写入速度,GB/s
    9.5 left arrow 8.4
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2174 left arrow 1822
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较