ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

总分
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 40
    左右 35% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    12.6 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.5 left arrow 7.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    26 left arrow 40
  • 读取速度,GB/s
    12.6 left arrow 12.3
  • 写入速度,GB/s
    9.5 left arrow 7.8
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2174 left arrow 1806
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