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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
48
读取速度,GB/s
12.6
8.9
写入速度,GB/s
9.5
5.9
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
1420
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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