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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
48
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
48
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
5.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
1420
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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