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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
48
Velocità di lettura, GB/s
12.6
8.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
1420
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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