RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
73
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1822
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link