RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3262
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link