RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
56
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
2,475.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8800
Rund um 2.18 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,878.3
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,475.5
9.8
Speicherbandbreite, mbps
8800
19200
Other
Beschreibung
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
598
2407
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM-Vergleiche
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link