Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Punteggio complessivo
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 13.7
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 56
    Intorno -93% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.8 left arrow 2,475.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 8800
    Intorno 2.18 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    56 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,878.3 left arrow 13.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,475.5 left arrow 9.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    598 left arrow 2407
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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