RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
94
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5.6
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.9
2,475.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8800
Rund um 1.93 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
94
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,878.3
5.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,475.5
4.9
Speicherbandbreite, mbps
8800
17000
Other
Beschreibung
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
598
1334
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM-Vergleiche
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link