RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
68
Rund um -172% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
17.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
3910
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link