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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
68
Por volta de -172% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
17.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
3910
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Frequency (Mhz) *
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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