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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
28
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
17.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3619
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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