RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
68
Autour de -172% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
3910
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link